标准号：GB/T 11297.6-1989现行
中文名称：锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
英文名称：Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
发布日期：1989-10-09 实施日期：1990-01-01 作废日期：
中标分类：【L90】 电子技术专用材料
ICS分类：
范围：本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀,适用于锑化铟原始晶片(111)铟面α位错的显示和测定。测量面偏离(111)面应不大于3°。
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